セメント タイプ 抵抗器 (SQM) 特徴: 1.良い 熱耐久性、 低い 温度 係数、 低い ノイズ、 高い 負荷 パワー、 高い 絶縁 容量。 2.動作 アンビエント 温度:-55℃~+275℃ 3.抵抗 公差: ±1%、±2%、±5%、±10%。
セメント型抵抗器(SQM)
製品 |
セメント型抵抗器(SQM) |
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特徴 |
1.良好な熱耐久性、低温度係数、低ノイズ、高負荷電力、高絶縁容量。 |
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仕様書 |
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部品番号 |
寸法 |
抵抗範囲 |
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W±1 |
D±1 |
H±1.5 |
L±1 |
P±1 |
d±0.05 |
KN |
MO |
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2W |
11 |
7 |
20.5 |
4 |
4 |
0.8 |
0.1〜270 |
271〜10K |
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3W |
12 |
8 |
25 |
4 |
4 |
0.8 |
0.1〜1K |
1K1〜50K |
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5W |
13 |
10 |
25.5 |
4 |
4 |
0.8 |
0.1〜1K |
1K1〜50K |
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7W |
13 |
10 |
39 |
4 |
4 |
0.8 |
0.1〜1K |
1K1〜47K |
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10W |
13 |
10 |
51 |
4 |
4 |
0.8 |
0.1〜1K |
1K1〜47K |
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定格電力 |
2W |
3W |
5W |
7W |
10W |
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最大動作電圧 |
150V |
350V |
350V |
500V |
750V |
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耐電圧 |
1000V |
1000V |
1000V |
1000V |
1000V |
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抵抗許容差 |
J±5% |
J±5% |
J±5% |
J±5% |
J±5% |
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セメントタイプ抵抗器(巻線) |
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特徴 |
仕様書 |
試験方法 |
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直流抵抗 |
J±5% |
25° |
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耐電圧 |
フラッシュオーバーの機械的損傷、アーク放電または絶縁破壊の証拠はありません。 |
抵抗器の表面に適合する導電性材料で抵抗を固定し、外周の90oに1000V ACの電位を60秒間印加するようにします。 |
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絶縁抵抗 |
1000MΩMIN |
試験に耐え、DC 500Vで測定するものとする。抵抗器は、ACと同じ誘電体法で準備するものとする。 |
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熱衝撃 |
∆R≤±(2%R0 +0.1Ω) |
定格電力を30分間印加した後、-30±5°の周囲温度に30分間さらします。 |
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湿度 |
∆R≤±(2%R0 +0.1Ω) |
40±2ºおよび相対湿度90〜95%に制御された湿度テストチャンバーで1000時間暴露した後の温度抵抗変化。 |
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セメントTypr抵抗器(金属酸化膜) |
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短時間の過負荷 |
∆R≤±((2%R0 +0.05Ω) |
RCVWの2.5倍の電位を5秒間印加した後の温度抵抗変化。 |
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負荷寿命 |
∆R≤±((5%R0 +0.1Ω) |
RCWVで1000時間動作した後の永続的な抵抗変化、25サイクルで1.5時間オン、0.5時間オフのデューティサイクル。 |
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Load Life in 湿度 |
∆R≤±((5%R0 +0.1Ω) |
RCVWで40±2ºおよび90〜95%の相対湿度に制御された湿度チャンバーで1000時間(1.5時間オンおよび0.5時間オフ)後の温度抵抗変化。 |
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はんだ付け性 |
95%のカバレッジMIN |
はんだのテスト温度:230±5° |
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湿度 |
∆R≤±((5%R0 +0.1Ω) |
40±2ºおよび相対湿度90〜95%に制御された湿度テストチャンバーで1000時間暴露した後の温度抵抗変化。 |
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はんだ耐熱性 |
∆R≤±((1%R0 +0.05Ω) |
350±10°Cのブリキストーブby3.2〜4.8に浸します
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不燃性 |
不燃性 |
それぞれ5倍、10倍、16倍の定格電力とA.C.に従って5分間負荷をかけます。 |
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ノート |
詳細については、お気軽にお問い合わせください。 |
ディレーティング曲線:
周囲温度が70℃以上で動作する抵抗の場合、以下の曲線に従って電力定格を下げる必要があります。
Surface温度 Rise: